IXFN48N60P module MOSFET 600V pour commutation haute tension

Optimisation Commutation Haute Tension

Le IXFN48N60P répond aux exigences des ingénieurs cherchant à optimiser le rendement de leurs alimentations industrielles. Ce module semi-conducteur combine une tension de blocage élevée et une faible résistance à l'état passant.

Performance Fréquentielle Élevée

La structure interne du composant réduit la charge de grille, ce qui autorise des fréquences de découpage plus élevées. Les concepteurs de circuits bénéficient ainsi d'une réduction de la taille des composants passifs environnants, comme les inductances et les transformateurs.

Une efficacité énergétique accrue se traduit par une baisse directe des coûts de refroidissement et une compacité globale du produit fini.

Fiche Technique Prévisionnelle

• Référence : IXFN48N60P / IXFN48N50U2
• Tension Maximale : 600 V
• Intensité Nominale : 48 A
• Technologie : MOSFET de puissance à grille isolée

Scénario d'Usage

Intégré dans un chargeur de batterie pour véhicules électriques ou un système d'alimentation sans interruption (ASI), ce module garantit un transfert d'énergie fluide. La robustesse face aux avalanches de tension protège vos équipements contre les perturbations du réseau électrique public.